ASML 着眼未来：考虑推出通用 EUV 光刻平台，覆盖不同数值孔径

5 月 23 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 顾问、前任 CTO 马丁・范登布林克（Martin van den Brink）近日称，这家光刻机制造商考虑推出一个通用 EUV 光刻平台。

范登布林克在本月 21~22 日举行的 2024 年度 imec ITF World 技术论坛上表示：我们提出了一个长期（也许十年）的路线图：我们将拥有一个包含 Low NA（0.33NA）、High NA（0.55NA）和 Hyper NA（预计为 0.7NA 以上） EUV 系统的单一平台。

根据瑞利判据公式，更高的数值孔径意味着更好的光刻分辨率。

范登布林克表示，未来的 Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程，规避通过 High NA 光刻机双重图案化实现同等精度带来的额外步骤与风险。

多种 EUV 光刻机共用一个基础平台，在降低开发成本的同时，也便于将 Hyper-NA 机台的技术改进向后移植到数值孔径更低的光刻机上。

根据IT之家此前报道，ASML 最新的 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 就导入了为 High NA 光刻机开发的快速载物台移动系统。